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10 ans de recherche sur les micro-écrans


​La revue relatant dix ans de recherche sur les micro-écrans GaN publiée par un chercheur du Leti, institut de CEA Tech, dans le Journal of the Society for Information Display, a été récompensée par le prix du meilleur papier 2017.

Publié le 26 juin 2018

Les micro-écrans à très forte luminescence sont développés depuis une dizaine d'années pour de nouvelles applications, pour la réalité virtuelle notamment. Ils sont fondés sur l'utilisation de LED au nitrure de gallium (GaN), déjà répandues dans le domaine de l'éclairage, et connues pour leur excellent rendement. Un article de revue retraçant une décennie de recherches publiée dans le Journal of SID a reçu le prix du meilleur papier à la Display Week 2018 de la Society for Information Display (SID). Cette récompense renforce la visibilité du Leti dans le domaine des micro-écrans GaN.

Des travaux publiés en 2007 rapportaient la réalisation d'un micro-écran de quelques pixels seulement. En effet, le principal verrou de fabrication des micro-écrans réside dans l'assemblage d'une matrice de LED à une matrice active CMOS, c'est-à-dire un circuit intégré dont le rôle est de piloter chaque LED individuellement. Deux approches de couplage sont essentiellement utilisées : l'hybridation, et la fabrication monolithique.

Le Leti a développé une méthode dérivée de la première : l'hybridation par microtubes. Cette technique consiste à placer des microtubes métalliques sur la matrice active, lesquels viennent s'insérer sur des plots de métal déposés quant à eux au niveau de chacune des LED, par l'application d'une simple pression mécanique opérée à température ambiante. Quelques mois après la publication de cet article, ce procédé a permis de réaliser un écran d'une résolution inégalée de 874*500 pixels au pas de 10 microns, qui a été présenté à la Display Week 2017.

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