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Evénement | Nouvelles technologies


250e ECS Meeting

Du 25/10/2026 au 29/10/2026
Calgary, Canada

​​​​​​​ÉVÈNEMENT​

​

Le CEA-Leti présente ses dernières recherches lors des symposiums consacrés au "Wafer Bonding" et SiGe aux 250e rencontres de l'ECS ​

DÉCOUVREZ LES RÉSULTATS SCIENTIFIQUES DU CEA-LETI AU 250e ECS MEETING​

Avec 20 papiers (dont 18 en premier auteur) et 6 Chairs de session, l'institut présentera cette année ses principaux résultats scientifiques à l'ECS, notamment sur les thématiques suivantes :​

  • Matériaux et procédés électroniques
  • Dispositifs et systèmes électroniques et photoniques 
  • Science et matériaux diélectriques
  • Dépôt électrochimique et autocatalytique (« e​lectroless »)

Symposium: E02 - ​Electrodeposition Processes for Magnetic and
Microelectronic Materials and Devices: In Memory of Lubomyr Romankiw​

Monday, 26 October 2026
11:00 am - 11:20 am
Room 203
(Level 2, BMO Centre)

C. Doyle, M. L. Calvo-Munoz

Comparative Study of Plasma Vapour Deposition and Electrochemical Deposition of Cu-(Mn, Cr, Al) Alloys as Self-Forming Barrier Materials for Advanced Interconnects​

Symposium  D01 - Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 22

Monday, 26 October 2026
10:20 am - 10:40 am
Room 212
(Level 2, BMO Centre)​

G. Strobbia, J. Mayolet, A. Raison,
J. Kanyandekwe, N. Gauthier,​
B. Mohamad, C. Guerin, T. Mota Frutuoso, V. Jousseaume

A Study on Annealing-Induced Passivation of Trap States In a Low-k Spacer

Symposium D02 - Plasma and Thermal Processe for Materials Modification, Synthesis and Processing 7

Tuesday, 27 October 2026
11:10 am - 11:30 am
Room 212
(Level 2, BMO Centre)

A. Raison, G. Strobbia, C. Guerin,
M. Dartois, T. Mota Frutuoso,
B. Mohamad, N. Gauthier,
V. Thoréton, H. Duchemin,
V. Jousseaume​

Impact of Remote Hydrogen Plasmas in the Cyclic Radical-Assisted CVD of Silicon Oxycarbide Thin Films​​

​​​ Symposium H01- State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 69 

​Monday, 26 October 2026
01:40 pm - 02:10 pm
Room 235
(Level 2, BMO Centre)

C. Lobre, T. Le Goff, T. Journot,
N. Baier, L. Rubaldo​, S. Bel,
A. Colas--Reuillon, E. Serres,
F. Rochette, F. Marmonier,
C. Grezes, C. Cassillo,​ O. Gravrand

Redesigned MCT-Based p-on-n Process for Enhanced Stability in Infrared Focal-P​ 

​

Symposium G02 : Symposium on Semiconductor Cleaning Science and Technology​​

​Thursday, 29 October 2026
11:10 am - 11:30 am
Percheron Ballroom C
(Level 3, BMO Centre)

G. AL Hoyek, V. Lumineau,
V. Loup

Wet Chemical Passivation of InP(100) Surfaces Using O₃

Symposium G03 Semiconductor Wafer Bonding (Co-Organizer : Frank Fournel)

Thursday, 29 October 2026
11:10 am - 11:30 am
Percheron Ballroom B
(Level 3, BMO Centre)

E. Moulé, C. Licitra,
F. Fournel

Hydrophilic Bonded InP-InP Interface Study at Low Annealing Temperature​

Wednesday, 28 October 2026
02:40 pm - 03:00 pm
Percheron Ballroom B
(Level 3, BMO Centre)

H. Hijazi, C. Morales, F. Gay,
F. Fournel, A. Cornelis, R. Bouis,
J. Moeyaert, P. Perreau

Impact of Cu Passivation on Cu-Cu Bonding Interface Reconstruction for Low-Temperature Hybrid Bonding

Tuesday, 27 October 2026
09:30 am - 09:50 am
Percheron Ballroom B
(Level 3, BMO Centre)

V. Larrey, N. Badey, C. Morales,
P. Noël, F. Fournel

A New Model for the Relation between Particle Size and Bonding Void Defect

Wednesday, 28 October 2026
10:30 am - 11:10 am
Percheron Ballroom B
(Level 3, BMO Centre)

P. Montméat, M. Vacon, F. Fournel,
T. Enot, A. Thiolon, L. Sanchez

Capillary Self-Assembly: Benefit for Direct Die-to-Wafer Bonding

​Wednesday, 28 October 2026
09:30 am - 09:50 am
Percheron Ballroom B
(Level 3, BMO Centre)

F. Fournel, P. Perreau, G. Enyedi,
A. Berthelot

Eutectic Bonding for MEMS: Reliability and Squeeze out Control

Tuesday, 27 October 2026
03:00 pm - 03:20 pm
Percheron Ballroom B
(Level 3, BMO Centre)

B. Barbier, V. Larrey,
Y. Bogumilowicz, F. Fournel

Strengthening of the Bonded Interface at Very Low Temperatures (below 100°C)​

Symposium G04 : SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 12 (Lead Organizer : Jean-Michel Hartmann)

Sunday, 25 October 2026
08:10 am - 08:40 am
Room 236
(Level 2, BMO Centre)

C. Cardoux,​ P. Goulain, L. Bonin,
​G. Persenda, L. Casiez, J. Chretien, J. M. Hartmann, N. Coudurier,
​P. Rodriguez, A. Vandeneynde

Monolithic Electrically Pumped Group-IV Lasers on ​Silicon: Unlocking High-Temperature Operation through Current Injection

Sunday, 25 October 2026
04:10 pm - 04:30 pm
Room 236
(Level 2, BMO Centre)

J. M. Hartmann ​

Tunable SWIR Absorption Peaks in GeSn Nanowire Array Photodetectors​

Wednesday, 28 October 2026
08:30 am - 08:50 am
Room 236
(Level 2, BMO Centre)

P. Tchoulfian, D. Barge,
J. M. Hartmann, S. Kerdilès,
V. Larrey, F. Fournel, V. Loup,
P. Hauchecorne, A. M. Papon,
A. Thouvard, J. Richy, Y. Mazel,
N. Gauthier, A. Fraczkiewicz,
G. Pares

Fabrication of a Si/SiGe Channel Stack Using Wafer-to-Wafer Bonding and BESOI Technique for CFET Applications

Wednesday, 28 October 2026
03:20 pm - 03:40 pm
Champions Ballroom A & B
(BMO Centre)

J. M. Hartmann, F. Roze,​
A. Romano, C. Pichard

Impact of Temperature on the Epitaxial Growth of Si and SiGe with Disilane

​

Wednesday, 28 October 2026
05:20 pm - 05:40 pm
Room 236
(Level 2, BMO Centre)

M. Bardet, J. Lespiaux, N. Gauthier,
E. Dos Reis, C. Lecouvey, V. Lapras,
F. Bringuier, J. M. Hartmann

On the Use of N2 As a Carrier Gas for Low Temperature Sige:B Selective Epitaxial Growth during the Production of Advanced p-Type Fd-SOI Devices​

Wednesday, 28 October 2026
04:00 pm - 04:20 pm
Percheron Ballroom B
(Level 3, BMO Centre)​

F. Fournel, R. Guillemaud

Finite Element Modeling of Direct Wafer Bonding: A Calibrated 2D–3D Framework for Bonding Wave Propagation

​​

Wednesday, 28 October 2026
05:40 pm - 06:00 pm
Room 236
(Level 2, BMO Centre)

J. Lespiaux, M. Bardet,
J. M. Hartmann

A One-to-One Comparison of N2 Versus H2 as a Carrier Gas for SiGe:B Selective Epitaxial Growth

​

Thursday, 29 October 2026
08:00 am - 08:20 am
Room 236
(Level 2, BMO Centre)

F. Gonzatti, L. Saidi, A. Romano,
S. Vialle, J. M. Hartmann

Impact of Temperature, Pressure and Precursor Chemistry on Growth Kinetics and Boron Incorporation during Si:B Epitaxy

Thursday, 29 October 2026
08:20 am - 08:50 am
Room 236
(Level 2, BMO Centre)

J. Kanyandekwe, B. Mohamad,
V. Lapras, F. Bringuier, Z. Chalupa,
T. Mota Frutuoso, K. Romanjek,
J. Lacord, T. Marion, L. Saidi,
L. Laraignou, P. Hauchecorne,
J. Lespiaux, N. Gauthier, T. Cabaret,
M. Dartois, A. Raison, M. Jourdan,
V. Loup, A. Bond, J. Richy,​
A. Thouvard, L. Couture,​
A. Blot-Saby, O. Glorieux,
A. Lassenberger, N. Bernier,
G. Persson, D. Cooper, M. Dryhailo,
A. Grenier, T. Dewolf, T. Muller,​
A. Andre, J. Marchand, T. Monniez,
S. Jarjayes, A. S. Royet, R. Chouk,
O. Cueto, M. C. Cyrille, C. Fenouillet-Beranger, J. M. Hartmann

Selective Epitaxial Growth of Very Highly Doped Sip Raised Sources and Drains Yielding Low Ron and Significant idsat Gains in 10 Nm Fd-SOI nMOS Transistors​

A PROPOS DU 250eme ECS MEETING

Rejoignez-nous à Calgary, au Canada, du 25 au 29 octobre 2026, pour la 250e réunion de l’ECS, une célébration historique de la science, de l’innovation et de la communauté. Cet événement marquant réunira des chercheurs, des ingénieurs et des leaders du monde entier pour échanger des idées, favoriser les collaborations et façonner l’avenir des sciences électrochimiques et des sciences du solide. À travers des présentations de haut niveau, des tables rondes, des sessions posters et des expositions, la réunion célèbre l’héritage de l’ECS tout en inspirant la prochaine génération d’avancées dans les domaines de l’énergie propre, des technologies durables et des matériaux.

DL_Icon.pngPlus d'informations sur le site web du ​250eme ​ECS Meeting

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Infos Pratiques

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Du 25/10 au 29/10/2026 | Calgary, Canada

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 Contactez​ Jean-Michel HARTMANN pour toute question.​​


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Contact CEA-Leti 

Jean-Michel HAR​TMANN

Research engineer

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Evénements

  • 15 déc.
    8h-18h      Tech Connect 2026

    Evénement |  San Francisco, CA

    Co-organized by CEA-Leti and Soitec, the event invites you to step inside their lab-to-fab pipeline and discover the next advances in semiconductors, embedded AI, sequential 3D, FeRAM memory.

  • 14 déc. au 15 déc. EU Symposium for Sustainable Digital & Electronics Technology

    Evénement |  Grenoble Polygone Scientifique, France

    L'Europe dispose de l'expertise et des compétences nécessaires pour promouvoir un secteur numérique plus responsable (sobriété, réglementation, éthique), créateur d'emplois de qualité. Toutefois, la maîtrise des données est toute aussi essentielle que celle des matériaux et de l'énergie pour garantir l'opérabilité et la durabilité des logiciels et des composants du futur.

  • 16 nov. au 19 nov. European Cyber Week 2026

    Evénement |  Couvent des Jacobins, Rennes, France

    Le CEA-Leti s’est appuyé sur son expertise en systèmes embarqués et en cybersécurité pour développer CRAB, un banc de caractérisation et de test complet pour analyser la sécurité logicielle et matérielle des systèmes embarqués. Vous pour échanger autour de ce nouvel outil aux performances élevées, à des coûts maitrisés, et basé sur des technologies ouvertes.

  • 12 nov.
    8h30-17h30      LID Europa

    Evénement | Agenda |  SEMICON Europa, Messe München, Germany.

    Artificial intelligence is reshaping the semiconductor landscape, demanding breakthroughs across the entire technology stack. This session explores the deep-tech innovations enabling the AI era—from advanced compute, 3D integration and silicon photonics to power-efficient packaging—before showcasing two real-world demonstrations and concluding with Europe’s vision for sustainable AI infrastructure. During this 19th edition of Leti Innovation Days Tokyo, CEA-Leti’s CEO will celebrate R&D partnerships with its partners in Japan and explore new possibilities to support the Japanese semiconductor industry. This year’s theme is “The AI-Chip Revolution: Scaling Innovation in Semiconductors”. High-level speakers and technical experts will present the latest advances through keynote speeches, seminars and live demos. Join us to enjoy lively networking and exchanges in a unique setting at the Residence of France in Japan.

  • 10 nov. au 13 nov. SEMICON Europa

    Evénement |  Munich, Allemagne

    Physical AI begins with sensing. As AI moves into the physical world, application-specific sensors are becoming essential for enabling efficient, reliable, and scalable systems. This year the MEMS & Imaging Summit explores how sensor innovation, semiconductor technologies, and advanced manufacturing are shaping the next generation of Physical AI. From custom sensor design to system integration, industry experts will discuss how purpose-built sensing solutions are driving practical applications across medical, manufacturing and consumer applications.